实盘：5G芯片关键材料获突破 天富能源涨停

周五早盘，天富能源一字涨停，天通股份大涨。

从西安电子科技大学芜湖研究院获悉，作为芜湖大院大所合作的重点项目，国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功，打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。

我国及全球5G网络正在大规模建设中。大数据传输、云计算、AI技术、物联网，包括下一步的能源传输，对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求，大功率芯片的市场需求非常大。而硅材料的负载量已到达极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，也是发展第三代半导体产业的关键基础材料。它的禁带宽度是目前主流的硅的3倍，导热性能更是比蓝宝石高10倍以上。在大功率工作状态下，碳化硅在降低自身功耗的同时，更可提高系统其他部件的功效，节能可高达90%。业内甚至俗称“得碳化硅者得天下”。

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